微電子技術論文8篇

時間:2023-03-06 15:57:44

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微電子技術論文

篇1

1微電子工藝清洗技術的理論研究

在微電子元器件的制造過程當中,由于其體積小、制造過程復雜等眾多客觀原因存在,將會很有可能導致微電子元器件在其步驟繁瑣的制造過程當中受到污染。這些污染物質通常會物理吸附或者是化學吸附等多種方式在電子元器件生產過程當中吸附在其表面。比如說,硅膠材質的硅片在其制造過程中污染物質通常會以離子或者是以粒子形式吸附在硅片的表面。這些污染物質還有可能存在于硅片自身的氧化膜當中。產生這一現象的原因并不奇怪,這是由于這些污染物質破壞掉了硅片表面的化學鍵,從而導致了在其表面形成了自然的力場,讓眾多污染物質輕松吸附或者直接進入到硅片的氧化膜當中。在產生這種現象之后,要清洗硅片就非常困難了。在清洗過程中,既要保持不能去破壞硅片的結構,又要保持能夠對污染物質進行徹底的清洗,以便其對產品結構當中的其他元器件產生污染,這一問題就變得非常棘手,愈發困難了。在當前微電子行業的大多企業或是研究所講微電子的清洗技術兩類:一種叫做濕法清洗;另一種叫做干法清洗。這兩種技術都能夠保持比較高的清洗度,并且能夠在不破壞電子元器件的化學鍵的基礎上祛除電子元器件表面或是氧化膜內存在的污染物和雜質。

2微電子工藝清洗技術的現狀研究

由于我國行業的發展更重視對服務業的發展和我國微電子行業的起步和發展較晚,從而致使當前我國微電子工藝的清洗技術比較落后,并且存在諸多的問題。

2.1濕法清洗技術研究

濕法清洗這一技術,是由上個世紀六十年代的一名美國科學家所研究發明出來的。這種方法主要是通過利用化學溶劑同有機溶劑和被清洗的微電子元器件之間發生化學反應,然后再利用多種技術手段,如:超聲波技術去污;采用真空去污技術等多種技術手段。最終,利用這些步驟實現對微電子元器件的清洗。

在以上濕法清洗電子元器件的步驟當中還需要用到種類不一的化學試劑。這些化學試劑主要包括氫氧化銨和過氧化氫以及硫酸等物質。氫氧化銨主要是被利用于對污染程度不是非常嚴重的電子元器件的清洗,或者是作為清洗第一部的化學試劑。其能夠在控制的溫度下、濃度下以及化學反應所經歷的時間下等多種條件下,利用化學反應去腐蝕電子元器件的表面污染物質或者是金屬的化合物。但是,由于這種腐蝕程度是需要多種條件來控制的,因此其對人員的技術和企業電子清洗設備的要求也是很高的,如果不能對整個過程實現嚴密的監控,將會對電子元器件造成損害。過氧化氫在清洗過程當中主要是被利用于對電子元器件的襯底進行清洗,通過清洗襯底上所附著的金屬化合物質或者是絡合物質。最后一種化學試劑(硫酸)在清洗過程當中扮演著非常重要的角色。在使用硫酸對被清洗電子元器件進行清洗過程中必須采用雙氧水這一化學試劑來減少其反應的時間,并且降低硫酸的濃度、反應時候的溫度,從而有效的減少了被清洗電子元器件碳化或者是被腐蝕嚴重的現象發生。以免讓硫酸對電子元器件造成損害。濕法清洗技術在眾多清洗技術當中是比較有效的一種技術,但是其依靠化學反應的客觀因素,讓其很有可能造成化學物質殘留從而導致電子元器件被腐蝕的現象。

2.2干法清洗技術研究

干洗技術相對于濕洗技術來說其避免了使用化學試劑,從而大大減少了化學物質殘留導致電子元器件腐蝕的現象發生。干洗技術主要是采用等離子、氣相等清洗技術方式對電子元器件的金屬化合物和絡合物進行清洗。對于采用等離子技術為主的干洗技術,其具有殘留物質少、操作難度低等技術性特點,并且在微電子元器件的清洗行業當中其研究最早、技術較為成熟,從而在當前我國微電子行業的應用最為廣泛。但是,等離子技術也存在一定的弱點,就是其無法完全祛除存留于微點電子元器件表面的污染物。而氣相技術的應用相對于等離子技術來說是非常少的,主要原因在于其花費時間長、成本高,并且在采用氣相技術清洗過程主要是被應用于硅片元器件的清洗,對于其他元器件的適用程度較低。

3對微電子清洗技術的展望

從上文的分析當中可以發現,就我國企業當前的資金、人力等現狀來說,我國在微電子清洗工藝當中,應當采用干洗技術當中的等離子技術。這種微電子工藝清洗技術不需要進行二次清洗,就能夠達到超過其他技術操作之后的結果。而對于其單次清洗過后殘留的金屬混合物來說,可以在繼續采用其他清洗方式減少其污染物質含量,從而在保證電子元器件質量前提下在較短時間內較低微電子污染物的含量。

篇2

在配電自動化系統中,故障區段定位是核心內容。其主要作用是:當線路發生故障時,在最短時間內自動判斷并切除故障所在的區段,恢復對非故障區段的供電,從而盡量減少故障影響的停電范圍和停電時間。選擇科學合理的故障區段定位模式,大大提高配電自動化系統的性能價格比及對供電可靠性的改善程度。當前的配電自動化故障區段定位手段主要是有信道模式、無信道模式以及兩者相結合的混合模式三種。

(一)有信道的故障區段定位模式

有信道的故障區段定位模式是指在故障發生后,依靠各分段開關處具有通信功能的柱上開關控制器FTU(FeederTerminalUnit,饋線終端單元)之間或FTU同配電主/子站之間通過通信設備交換故障信息,判斷故障區段位置。這種模式包括基于主/子站監控的集中(遠方)判斷方式和基于饋線差動保護原理的分散(就地)判斷模式。基于主/子站的集中判斷方式是以配電自動化監控主站/子站為核心,依靠通信實現整個監控區域內的數據采集與控制。基于饋線差動保護原理的分散判斷方式是當故障發生時,各保護開關上的FTU利用高速通信網絡同相鄰開關上的FTU交換是否過流的信息,從而實現故障的自動判斷與隔離。

(二)無信道的故障區段定位模式

無信道的故障區段定位模式是通過線路始端的重合器同線路上的分段開關的配合,就地自主完成故障定位和隔離功能,它包括重合器同過流脈沖計數型分段開關配合、重合器同電壓時間型分段開關配合以及重合器間配合等實現方式。重合器同過流脈沖計數型分段開關配合的方式:過流脈沖計數型分段器不能開斷短路電流,但能夠在一定時間內記憶重合器備開斷故障電流動作次數。重合器同電壓時間型分段開關配合的方式:故障時線路出口處的重合器跳閘,隨后沿線分段器因失壓分閘,經延時后重合器第一次重合,沿線分段器依次順序自動加壓合閘,當合閘到故障點所在區段時,引起重合器和分段器第二輪跳閘,并將與故障區段相連的分段器閉鎖在分閘位置,再經延時后重合器及其余分段器第二次重合就可以恢復健全區段供電的目的。重合器配合的方式:重合器方式延續了配電網電流保護的原理,自線路末端至線路始端逐級增加啟動電流和延時的整定值,實現逐級保護的功能。

(三)有信道集中控制與無信道就地控制相結合的混合模式

有信道集中控制與無信道就地控制相結合的混合模式是結合前面兩種模式的特點,對于以環網為主的城市配電網,當系統通信正常時,以集中判斷方式為主,當通信異常時,可以在配電終端就地控制;對于農電縣級配電網,一次網絡既有環網供電,更多的是輻射型供電方式,因此放射形網絡的故障定位選用無信道的就地判斷方式,環路網絡采用集中判斷方式。

二、目前配電自動化中故障區段定位手段的特征比較

基于有信道故障區段定位模式的配電自動化系統由于采用先進的計算機技術和通信技術,正常情況下可以實時監控饋線運行情況,實現遙信、遙測、遙控功能及平衡負荷;故障情況下可以綜合全局信息,快速完成故障的志別、隔離、負荷轉移和網絡重構,避免了出線開關多次重合對系統的影響,適用于配電網絡結構復雜、負荷密集地區的配電管理系統。但它的缺點是故障的判斷和隔離完全依賴通信手段,對通信速率和可靠性要求高,需投入資金較多;通信設備或主站任何一個環節出現問題都有可能導致故障緊急處理的全面癱瘓。

無信道的故障區段定位模式將故障處理下放到設備層自動完成,根本上消除了通信設備可靠性環節對定位功能的影響,具有原理簡單,功能獨立,封裝性好的特點,并且投資比有信道的方式少。重合器同分段開關配合方式的缺陷在于判斷故障所需的重合閘次數較多,故障產生的位置距離電源越遠,重合閘次數和故障判斷時間很長,難以達到饋線保護功能對故障處理快速性的要求;重合器配合的方式通過各開關動作參數整定配合判斷并切除故障,無需出線重合器的多次重合閘,但由于配電網存在線路短,故障電流差別不大的特點,容易引起故障時的越級跳閘;并且越靠近出線側的重合器故障后延時分閘時間很長,不符合故障處理快速性的要求。

有信道和無信道混合模式結合了兩者的優點,可以根據地區配電網的時間情況進行有效組合;但它的缺點是存在著控制實現困難、結構復雜的問題,并且不經濟。配電自動化系統中,無信道的故障區段定位模式由于減少了通信環節,在故障處理的可靠性和經濟性方面都要優于有信道的模式;但故障區段定位過程需要多次投切開關的缺點限制了它進一步提高供電可靠性的能力。

三、基于暫態保護的配電網故障區段定位方法研究進展

目前配電自動化系統所采用的故障區段定位方法延續了電力系統繼電保護中電流保護的核心理念,其構成原理建立在檢測故障前后工頻或接近工頻的穩態電壓、電流、功率方向、阻抗等電氣量的基礎上,此領域的研究工作也是圍繞著如何提高這種原理的性能展開的。實際上,由于輸電線路具有分布參數的特性,當電網發生短路故障時,線路在故障的初始時刻一般都伴隨著大量的暫態信號,故障后的初始電弧以及在電弧最終熄滅前的反復短暫熄滅和重燃會在線路上產生較寬頻帶的高頻暫態信號;行波由色散產生的頻率較集中的高頻信號發生偏移和頻率分散,會產生頻帶較寬的高頻信號。這些在故障過程中產生的暫態高頻電流電壓信號含有比工頻信號更豐富的故障信息,如故障發生的時刻、地點、方向、類型、程度等。但由于故障暫態信號具有頻帶寬,信號幅度較工頻微弱,且持續時間短的特點,受信號提取和分析手段的限制,在傳統的保護方法里被當做高頻噪聲濾除掉。但是,隨著信號提取及分析技術的快速發展,基于暫態保護原理的故障處理技術越來越受到人們的重視。

參考文獻:

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[9]刀哈恒旭,張保會,呂志來.邊界保護的理論基礎(第二部分):線路邊界的折反射系數的頻譜[J].繼電器,2002,30(10).

[10]甘忠,董新洲,薄志謙.輸電線路自適應無通道保護[J],電力系統自動化,2002,25(10).

篇3

1微電子機械系統的概念

微電子機械系統所指的就是在大小毫米量級之下,最終形成的可以控制能夠運動的微型機電裝置是由單元尺寸需要在可控制的微米和納米之間,是一個整體的系統,把微機構、微傳感器,以及微執行器還有信號處理系統等等構成。在不同的國家對于微電子機械系統的稱呼有所不同,

2微電子機械系統的發展歷程

微機械器件以及微電子機械系統在生產加工的過程中需要對其深加工技術進行研究和重視。在研究中開始逐漸的形成了微電子加工技術和微機械裝置加工技術。并隨著對技術的細分,開始形成了體微機械技術以及外輪廓表面微機械裝置技術,并同時也產生了LIGA機械裝置技術以及高標準的LIGA機械裝置技術。對其體微機械技術按照實施的目標對象機械能分析,可以得出體硅單晶體為核心構成體并在其物理測量厚度的10到999單位內呈現規則布局分離,為其核心的技術策略單位。并對其技術中存在的腐蝕以及吻合問題進行布局的考慮。對其技術的優勢分析得出,其裝置的工藝相對不繁瑣,但其操控性和調控性數值偏低。在表面微機械裝置中,進行相應的IC技術加工,如采用擴散光學和標準尺寸對應光刻以及復膜層疊等技術運用中,其都會對原有的厚度比率進行微調,對其在剝離技術中和進行切割技術的分析[1]。其技術的有點在于對IC技術有相對完整的包容性,但存在的不足點也較為顯著,如切割的縱向厚度單位偏低,在電光鑄模和縮微成型以及耐溫差等方面存在一定的技術局限。LIGA技術在德文X射線進行曝光和電光鑄模中有其良好的優越性,其對設備的制取尺寸在1單位內到999單位內。但需要指出LIGA技術處于高成本和高復雜度的技術,并需要采用相對保守的紫外線深度曝光,保障其光刻效果和覆膜效果。而準LIGA技術在對設備加工中可以在最合理控制尺寸中,保障其電路集成后續裝置獲得合理的配置[2]。因而其技術的優勢在微機械技術中可以獲得關注度的展現。

2.1自動對焦的三維加工技術

目前自對準的準三維加工技術普遍采用深度的紫外線厚度型進行光度的曝光刻度,并進行膠模的處理,保證其在犧牲層和結構層獲得合理的電鑄,并利用其兩層的金屬電鑄特帶你,獲得犧牲層厚度的保障,并進行微結構的自動對準技術保障[3]。

因而CU可以表示為犧牲層,NI為結構層的技術,并在其平面和垂直兩方向性獲得控制,在其CU和NI中進行電鑄處理,使得其種子層和型模層獲得兩種電鑄金屬處理,讓技術水平在微架構層面獲得統一標準化套準對應。在其腐蝕性選擇上要對其液體進行考慮,CI屬于腐蝕性,NI不屬于腐蝕性,并對其微機械機構進行終止惰性反應。其配套技術以及Ic工藝獲得最大化的包容,在溫度上控制在85攝氏度,獲得對結構合理的微機械技術。其深度的單位測定在22,保障其后續的標準對應后其范圍空載在49到101內。

準LIGA技術需要在工藝布局考慮中,首先要保障(a)低阻硅片(10-3cm),其熱氧化反映在1.5,其厚度在SIO2其需要把定子對襯低的外圓位置進行確定。同時進行首次的光學刻,SIO2腐蝕出進行1.2各坑道處理。形成在轉子下部的新支撐點確定。在除去膠緣后,在真空中進行高溫處理形成0.3的銅電鑄種子層。在第二次光學刻錄中,要對尺寸厚光刻膠AZ4620進行轉子膠模處理,保障其電光鑄在3內進行轉子保障。后進行第三次的光刻,在其厚度尺寸中選擇光學刻錄定子膠模處理,保障其厚度在2.5范圍內。形成銅犧牲層的轉子和釘子的轉化變化,對其空隙中要包容其電鑄在1.5釘子范圍。在最后一次光刻中,要對其厚膠光學刻錄后,對其1.3銅都犧牲層要進行間隙轉化的電鑄考慮。并用起腐蝕性的液進行HF緩沖液體的處理,通過SIO2合理的釋放轉化的轉子。其微機械技術在應用中可以獲得廣泛的推崇,靜電驅動鎳晃動微馬達為例,其自對準的準三維加工技術目前在實際應用中哥已經獲得鎳晃動馬達。用電鑄Cu作犧牲層,電鑄Ni作結構層(定子、轉子和軸),得到的轉子與定子。各項參數都符合標準。

3結語

篇4

依據新時代先進的科學技術,我國機電企業邁向了智能化的飛躍,從而實現了自動化操作手段。在當今機電工程施工領域,機電一體化電子信息技術,通過電腦一手掌控,其發展的主要動力來自于當今時代先進的科學技術,并且結合計算機軟硬件所構成的一個智能化系統。機電一體化系統的出現,一方面,機電施工工程實現科學規范化管理,另外,給新時代機電企業創造了更大的經濟價值,傳統的機電施工工程管理相比,機電一體化更可靠、更安全,對我國機電企業在未來的發展意義非凡。

2機電一體化向智能化邁進的發展歷程

2.1數控機床。與西方發達國家相比,我國機電企業出現較晚,隨著我國建筑行業規模不斷擴大,機電企業的發展是確保實現高質量建筑工程的必然要求。在我國機電一體化的出現,一開始受數控機床技術的影響,在20世紀中期,人們的日常生活開始觸及電子應用設備,電子應用設備是推動機械產物必然發展的需求,由于當時電子應用設備實際操作受限,其機械化產物質量達標還不能得到保證,因此,機電一體化的運作還不能廣泛地應用在我國機電企業中。2.2微電子技術。在20世紀中期,機電一體化應用數控機床技術領域存在著較大的問題,不能滿足當今時代機電工程施工的具體要求,所以,仍需要借助其他技術進一步實現機電一體化。微電子科學技術的出現,給機電一體化的發展帶來了新的希望,隨著我國機電工程規模不斷擴大,對其施工技術的要求也在不斷增加,這一時代機電。一體化應用微電子技術,推動了機電一體化順利實施,微電子技術的出現,將我國機電工程帶到了一個嶄新的發展領域,其各項技術的共同運行促使機電一體化技術的正常運行。2.3可編程控制器的出現在20世紀中后期階段,機電一體化技術的發展邁向了較為成熟階段,先前的微電子技術雖然在一定程度上能為機電一體化技術的發展奠定基礎,隨著新時代的發展,機電一體化技術實際應用領域越來越多,微電子技術還不能完全滿足機電一體化技術在任何情況之下解決所有問題,因此,在這一時期,出現了可編寫程序的控制器,該控制器主要功能是通過可編寫的特點使之自動化操作,應用該控制器最早的國家是美國,美國汽車制造行業中將該控制器應用得十分充分。隨著機電控制器技術的不斷成熟,在我國機電施工的過程中大量應用該控制器,技術的不斷成熟,并且通過大量實踐應用將新時代研制出的新型機電控制器大量投入到生產過程。隨著這項技術的成熟,國家為了更好地控制新時代研制出的新型機電控制器,制定了很多關于該領域技術相應的管理條例,從宏觀角度上來看,機電一體化技術的發展經歷了從單一到復雜的過程,從單一的結構體演變成各個復雜的系統,在機電一體化技術的功能方面,不但實現了自動化機電一體化技術,同時賦予機電一體化技術智能化特點。當今時代,機電一體化技術具有遠程控制操作端,使新型機電一體化技術實現便捷化轉換,而且通過遠程控制端信息快速傳達各個接收端,接收端在接收信息后的第一時間通過新時代信息處理技術快速篩選和整理,新時代機電一體化技術在研發領域更偏向于它的實際應用價值,形成了新時代機電一體化系統。2.4激光光電子技術。隨著新時代社會科技水平的不斷提高,機電一體化規模不斷擴大,可控制的編程器已經不能完全滿足新時代機電企業的發展,為了更好地迎合當代機電一體化企業可以更好地向智能化推進,激光光電子技術的出現,將機電一體化智能化推向了至高點,利用當下十分先進的激光技術,借用光電子在激光中的優勢,而且光電子技術能夠在可編程操控基礎之上,能夠進一步優化先前所有用于機電一體化所有技術,完善整個智能化過程,從根本上改變機電一體化智能化發展的很多干擾因素,擺脫不必要因素的影響,確保在激光光電子技術的支撐之下,更加快速高效地實現機電一體化智能化發展。總而言之,利用當下十分先進的激光技術,我國機電企業可以抓住這一優勢,對光電子在激光技術的支撐之下,能夠讓機電企業一體化智能化推進目標更快實現,機電企業應根據當今社會機電行業發展的趨勢,并且一直關注當下社會先進的科學技術,利用新時代先進的科學技術和機電一體化企業發展的趨勢的動態,并且根據自身企業在社會發展過程中的發展趨勢,將機電一體化和新時代先進的科學技術巧妙地融合在一起,研制出更為先進的機電一體化技術,迎合新時代社會發展的趨勢,重點研究機電一體化向智能化發展需要的哪些前提條件,并根據自身機電企業發展的優勢,加強機電一體化相關技術的研究,研制出高質量高效率機電一體化向智能化發展的先進技術,以確保我國機電企業在未來發展中能夠一直處于世界前沿水平。

3對新時代機電一體化向智能化發展的思考

當今時代,社會飛速發展,帶動了我國各行各業的不斷發展,機電一體化智能化的發展趨勢是我國新時代順應社會發展的必然要求,新時代機電一體化發展以其智能化的存在優勢,是一個控制機電領域的系統組織,依靠新時代微電子技術,在機電一體化設備的制作過程中,其數字化管理系統實現過程利用微電子控制器更簡單地解決了這一問題。當今時代數控機床技術不斷成熟,計算機應用系統飛速發展,給新時代機電一體化技術數字化系統奠定了基礎,并且通過計算機先進的技術實現虛擬化管理和集成管理。在我國機電行業的發展中,機電一體化技術是實現機電產品數字化屬性的重要手段。在20世紀末,最早將機電一體化推向智能化邁進的國家是西方很多發達國家,機電一體化智能化推進不但給這些發達國家創造巨大的經濟價值,并且將機電一體化這一偉大的智能成果推向了世界前沿。比如:像很多可編程的控制器可以促使機電一體化向智能化邁進所生產的機電產品擁有數字化管理系統,當今時代,電子信息技術尤為發達,在機電一體化數字化管理系統中,更加有力地提升了機電一體化數字化管理系統的數字化創造。新時代下,機電一體化已經向智能化推進,隨著時間的推移,機電一體化向智能化推進的步伐在潛移默化的影響著我們國家。

4結語

當今時代快節奏的生活越來越普遍存在于我們的生活之中,機電一體化向智能化推進符合新時代生活理念,機電一體化向智能化可以推進的過程大體分成幾個階段,首先在數控機床技術的出現,機電一體化向智能化推進有了一點起色,接著微電子技術和可編程的控制器將機電一體化智能化推向了十分成熟階段,為機電一體化智能化數字系統奠定了發展基礎,光電子技術的出現將機電一體化智能化邁進推向了最高端,是新時代先進科學技術的必然發展產物,隨著機電一體化智能化技術的不斷發展,機電一體化技術在我國慢慢的發展起來。

作者:王濤 單位:陜西交通建設集團公司西長分公司

參考文獻

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篇5

二、投稿要求如下:1.來稿內容應有較高學術水平,有創新之處,表達上做到主題突出、觀點明確、論據充分、結構合理、層次清楚、語言通順、文字簡練。2.作者投稿需向編輯部提供一份聲明:稿件內容屬于作者的科研成果,署名無爭議,且未公開發表過。3.來稿一般不超過8000字(含圖、表),內容包括:中英文題目、中文作者姓名及漢語拼音的作者姓名、作者單位及英文譯名、作者簡介(性別、出生年份、學位、職稱及研究方向)、中英文摘要(250字左右)、關鍵詞(3~8個)、中圖分類號、正文、參考文獻。如為基金項目資助論文,請在文稿首頁注明,并列出批準文號。4.摘要應說明論文的目的、方法、結果與結論。英文摘要的內容需與中文一致。5.文中的量與單位應符合國家標準和國際標準。外文字母必須分清大小寫、正斜體(包括黑正體、黑斜體及白正體、白斜體);上下角的字母、數字和符號,其位置高低應區分明顯。6.圖、表不超過6幅;圖、表須有名稱和編號,其內容要與正文中的編號和說明一致;插圖和照片必須是清繪圖和原照片,繪制符合國家標準,最好控制在7.5cm×7.5cm內;有坐標系的插圖,縱橫坐標上均要有適宜的刻度、對應的數據,并標注出其所代表的物理量和單位;表格盡量采用三線表的形式繪制。7.參考文獻只擇最主要的列入,一般不超過10條,未公開發表的資料請勿引用。文獻序號以文中出現的先后順序編排,文后須與正文中的一一對應。文獻作者3名以內應全部列出,4名以上的只列出前3名,后加“等”字(或etal);外文作者姓在前,名在后,名可用縮寫,但不加縮寫點。

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篇6

20世紀70年代,英特爾公司(Intel)的戈登?摩爾(Gordan Moore)預言:芯片上晶體管的數量將每隔18個月至兩年就會翻一番。這即是電腦行業在幕后稱之為的“摩爾定律”,這一定律至今依然在發揮著作用。但是,如果“摩爾定律”一直有效,那么小小芯片上的晶體管數量將繼續呈指數級的增長。可以想像不久的將來芯片將承受怎樣的負擔,這就需要將整個系統集成在一個小小芯片上的SoC(System on Chip)技術。這個激動人心的技術將曾經占據整個房間的龐大的計算機變得如今只有小拇指的指甲那么大小。正如很多專家所言,自從以半導體和集成電路為基礎的計算技術出現以來,片上系統(SoC)技術已經成為最重要的一項技術。

本書是為迎接新一代半導體技術來臨的巨大的設計挑戰而匯集的論文集,這些論文幾乎涵蓋了SoC技術的所有相關主題。具體為:1.為了使器件模型不斷地降低成本,還必須滿足其準確性,就需要擴展各種不同的新技術,ColinMcAndrew的論文就是面向二極管的模型,Matthias Bueher和Christian Enz的論文解決了MOS管的模型。2.解決過程參數的概率性偏差,這些偏差表現為電路的行為偏差,也就是在大規模生產當中被稱為參數出現誤差,Colin McAndrew的論文的另外一個貢獻就是研究了在電路模擬當中的概率性偏差,這在計算效率和物理分析方面很重要,最終可能會決定設計是否可以生產。3.電路部件的設計復雜性,在新技術快速涌現的當代,對于每一種新技術都相應重新設計電路顯然不現實,也為成本要求所不允許,Jose Franca的論文試圖設計出將數據轉換器、放大器和濾波器集成在一起,成為一個能夠匹配很多應用的系統。4.隨著芯片上晶體管數量的增加,單位面積里所聚集的晶體管數量將越來越多,密集的晶體管單位面積上的發熱將越來越巨大,這就提出了當今非常熱門的問題――低功耗,R.Leung的文章就涉及這個方面,試圖解決高速NO緩沖器的低功耗問題。5.T.Yanagawa,S.Bampi和G.Wirth的文章很翔實和理性的預測了2010年的微電子技術對將來的微電子和集成電路半導體技術產生的影響。

本書適合學習和從事微電子和計算機專業的研究生和工程技術人員閱讀,同時也適合相關專業讀者參考。

丁丹,碩士生

(中國科學院計算技術研究所)

篇7

關鍵詞 模擬集成電路 CAD 教學改革

中圖分類號:G64 文獻標識碼:A 文章編號:1002—7661(2012)21—0006—01

在當今信息時代,微電子學的應用已經滲透到國民經濟的各個領域。集成電路( Integrated Circuit, IC)作為微電子技術的核心,是整個信息產業和信息社會最根本的技術基礎。發展IC產業對提高技術的創新基礎和競爭能力具有非常重要的作用,對國民經濟發展、國防建設和人民文化生活等各方面都發揮著巨大的作用,也是一個國家參與國際化政治、經濟競爭的戰略產業。模擬集成電路是現實世界和數字化系統之間的橋梁,是現代信息化系統的關鍵技術之一。發展電子信息化,必須發展模擬IC技術。為了提高我國模擬IC電路的水平,不但要在產業化方面做出巨大的努力,還需培養出更多的高質量人才。事實上,模擬集成電路設計是一個實踐性較強、實踐內容多的微電子學專業的專業方向,因而在教學課程設置時不僅要努力加強理論教學,還需加強實踐教學,提高學生的實踐動手能力。《模擬集成電路CAD》課程作為模擬集成電路設計方向的核心基礎課程,其教學的好壞關系到學生在模擬集成電路設計方面的發展前景。在此背景下,根據重慶郵電大學光電工程學院微電子學專業的實際情況,結合筆者多年集成電路實際工程經驗以及多年教學實踐,擬從以下幾個方面對《模擬集成電路CAD》課程的教學改革進行探索。

一、理論教學,以培養學生分析設計能力為目標

《模擬集成電路CAD》是模擬集成電路設計方向的一門核心基礎課,與其他電路基礎課一樣,具有承上啟下的作用。而模擬集成電路具有概念細節多、理論較抽象、工程特征突出、電路結構多樣等特點,在學習中學生普遍反映較難學習。在設置授課內容時,不僅要夯實專業基礎和培養學生的分析與設計能力,還要盡量避免與《模擬CMOS集成電路》等課程的知識重復的問題。

根據教學大綱以及課程內容設置原則,《模擬集成電路CAD》理論教學定為32學時,并將講授內容分為以下幾部分:第一部分,MOS仿真模型及CMOS模擬集成電路CAD;第二部分,單元電路設計、仿真及分析;第三部分,偏置電路設計、仿真及分析;第四部,跨導放大器設計。在授課過程中,以簡單CMOS模擬集成電路基本單元分析為主,復雜CMOS模擬集成電路分析為輔;以分析能力培養為主,設計能力培養為輔;激勵學生CMOS模擬集成電路設計的興趣。

二、實驗教學,以培養學生實踐動手能力為目標

實驗教學的目的在于培養學生建立起CMOS模擬集成電路設計流程的概念、熟練掌握各個環境的工具使用,能解決模擬集成電路設計仿真過程出現的問題,促使理論知識的理解和深化,因而設置合理的實驗體系具有重要意義。同時,Cadence、Synopsys、Mentor等最主流集成電路設計工具廠商提供的EDA工具是目前集成電路設計公司最廣泛使用的工具。為了使學生在畢業后能很快適應崗位、能盡快進入角色,有必要使學生學習使用這類先進的EDA工具,從而真正幫助學生掌握CMOS模擬集成電路設計技術。根據這一原則,《模擬集成電路CAD》實驗教學定為32學時,并開設如下幾個實驗:實驗一,IC設計工具—Cadence的ADE與版圖大師等的使用;實驗二,CMOS兩級運算放大器的設計、版圖繪制與驗證;實驗三,CMOS帶隙基準參考的設計、版圖繪制與驗證。在實驗過程中,一人為一組,有利于培養學生的獨立思考問題、解決問題的能力。

三、改革教學方法,豐富教學手段

教學內容體系確定后,采用什么樣的教學方法與教學手段是非常重要的。采用有效的教學方法并結合先進的教學手段,不僅有利于培養學生獲取知識的能動性,而且有利于培養學生獨立發現問題、分析問題以及解決問題的能力,實現以教為中心到以學為中心的轉換,突出學生在學習過程中的主動性,從而獲得好的教學成果。

針對CMOS模擬集成電路具有概念細節多、理論較抽象、工程特征突出、電路結構多樣等特點,在(下轉第10頁)(上接第6頁)教學手段上以多媒體教學為主,傳統黑板板書為輔,同時在課堂上以動畫的形式展現當前CMOS模擬集成電路設計趨勢及其技術特點,從而達到提高課堂教學質量的目的。

四、考核方式的改革

考核是對學習的結果做出評估,是反映教學效果的手段。而課程開設能否達到既定的教學目標,課程的考核方式有著比較重要的作用。傳統的考核方式為試卷筆試與平時成績結合的方式。針對《模擬CMOS集成電路》課程特點,考核方式作如下嘗試:結合課程的專業特點,采用提交論文和現場答辯相結合的考核方式。針對課程的重點知識點,設計幾個課外小題目,讓學生通過查閱相關文獻資料,完成電路設計并撰寫小論文,從而增強學生獨立思考與實踐動手能力。在每個題目完成后,教師要求學生在提交論文時做好答辯ppt,并利用專門時間進行5分鐘左右的答辯,并接受教師和同學的提問。這樣可以引導學生更加重視實踐性環節,強化技能水平的提高。

教學過程是一個不斷探索、總結與創新的過程。要實現《模擬集成電路CAD》這門課的全面深入的改革,還有待與同仁一道共同努力。在今后的教學實踐中,筆者將加強與同行交流學習,進一步完善教學內容、教學實踐、教學方法、教學手段以及考核方式等,以期改善教學效果。

參考文獻:

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論文摘要:光電子器件和部件廣泛應用于長距離大容量光纖通信、光存儲、光顯示、光互聯、光信息處理、激光加工、激光醫療和軍事武器裝備,預期還會在未來的光計算中發揮重要作用。本文將介紹國內外光電子技術及光電子產業的發展。

如果說微電子技術推動了以計算機、因特網、光纖通信等為代表的信息技術的高速發展,改變了人們的生活方式,使得知識經濟初見端倪,那么隨著信息技術的發展,大容量光纖通信網絡的建設,光電子技術將起到越來越重要的作用。美國商務部指出:“90年代,全世界的光子產業以比微電子產業高得多的速度發展,誰在光電子產業方面取得主動權,誰就將在21世紀的尖端科技較量中奪魁”。日本《呼聲》月刊也有類似的評論:“21世紀具有代表意義的主導產業,第一是光電子產業,第二是信息通信產業,第三是健康和福利產業……”,可以斷言,光電子技術將繼微電子技術之后再次推動人類科學技術的革命。

1世界光電子技術和產業的發展

光纖通信技術的發展速度遠遠超過當初人們的預料,光纖已經成為通信網的重要傳輸媒介,現在世界上大約有60%的通信業務經光纖傳輸,到20世紀末將達到85%,但從目前光纖通信的整體水平來看,仍處于初級階段,光纖通信的巨大潛力還沒有完全開發出來。目前,各種新技術層出不窮,密集波分復用技術(DWDM,在同一根光纖內傳輸多路不同波長的光信號,以提高單根光纖的傳輸能力)、摻鉺光纖放大器技術(EDFA,可將光信號直接放大,具有輸出功率高、噪聲小,增益帶寬等優點)已取得突破性進展并得到廣泛的應用。現在DWDM系統和光傳輸設備中,光電技術的比例將從過去比重不到10%達到90%。一種全新的、無需進行任何光電變換的光波通信——“全光通信”,由于波分復用技術和摻鉺光纖放大器技術的進展,也日趨成熟,將在橫跨太平洋和大西洋的通信系統上首次使用,給全球的通信業帶來蓬勃生機。為此提供支撐的就是半導體光電子器件和部件。光電子器件和技術已形成一個快速增長的、巨大的光電子產業,對國民經濟的發展起著越來越大的作用。美國光電子產業振興協會估計,到2003年,光電子產業的總產值將達2000億美元。

Internet應用的飛速增長對電信骨干網帶寬提出越來越高的需求,為滿足需求的增長,人們可以鋪設更多的光纖,或靠提高單路光的信息運載量(現在主干網可以分別工作在2.5Gbps和10Gbps,并已有40Gbps的演示性設備)。但更主要的方法卻是靠發展波分復用技術,增加光纖內通光的路數(光波分復用的實驗記錄已經達到2.64Tbps)。波分復用技術的普遍運用為光電子器件和部件提供了廣闊的、快速增長的市場。無限戰略公司的報告指出:“信號傳輸用1.31μm和1.55μm激光器市場1999年達到13億美元,比去年增加23%;1.48μm信號放大用激光器1999年市場份額達到1.6億美元,比去年增加33%;980nm信號放大用激光器銷售額達2.9億美元,比去年增長121%。整個激光器市場的份額1999年達18億美元,預期2003年將達到30億美元”。美國通信工業研究公司(CIR)的研究預測,北美市場光電子部件的市場規模將由目前的28億美元增長到2003年的61億美元,約每年增長18.5%。密集波分復用設備銷售額也將從1998年的22億美元增加到2004年的94億美元。報告稱雖然10年內全光通信還不會全面商業化,但是全光交換將在幾年內成為市場主流,報告也指出盡管光學部件市場被大公司所占據,但仍有創新性公司進入的可能。

2我國的光電子技術和產業

近10年來我國光電子技術研究在國家“863”計劃和有關部門的支持下有了突飛猛進的進展,在很多領域同國外先進國家只有兩三年的距離,個別領域還處于世界領先地位。國內光電子有關產業基地在光電子器件、部件和子系統(如激光器、探測器、光收發模塊、EDFA、無源光器件)等已經占領了國內較大的市場份額,初步具備同國外大公司競爭的能力,在毫無市場保護的情況下,靠自己的力量爭得了一席之地,市場營銷逐年有較大的增長,個別產品還取得國際市場相關產品中的銷量最大的成績。我國相應研究發展基地和本領域高技術公司的許多產品填補了國內相關產品的空白,打破國外產品在市場上的壟斷地位,同時爭取進入國際市場。

摻鉺光纖放大器(EDFA)是高速大容量光纖通信系統必需的關鍵部件,國內企業產品占國內市場40%的份額。我國也是目前國際上少數幾個有能力研制PIC和OEIC的國家。808nm大功率激光器及其泵浦的固體綠光激光器,670nm紅光激光器已產品化和商品化并批量占領國際市場。國內移動通信的光纖直放站所用的光電器件,90%使用國產器件,國產1.55μmDFB激光器戰勝了國外器件,占領了100%的國內市場。

但是,我們應當認識到在我國光電子技術發展中,光電子器件、部件雖是光通信、光顯示、光存儲等高技術產業的關鍵部分,但在整個系統和設備成本中所占的比重較小,其產值較低,目前科研開發主要處于跟蹤和小批量生產階段,光電子產業所需的規模化、產業化生產技術目前還未有實質突破;國內研究生產的光電器件和部件有相當部分還未能滿足整機和系統的要求,導致國外器件占據國內市場相當多的份額;在機制上仍未擺脫科研、生產、市場相互脫離的狀況。

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