半導(dǎo)體雜志論文投稿要求:
Ⅰ、稿件請附中英文對照的標(biāo)題和摘要。摘要提供的信息應(yīng)能客觀反映論文主要內(nèi)容,中文摘要字?jǐn)?shù)限定在300字以內(nèi)。
Ⅱ、參考文獻(xiàn)5~30條,其著錄格式采用順序編碼制,即按在正文中被引用的先后順序排列。
Ⅲ、本刊編輯部有權(quán)對所投稿件進(jìn)行修改。如果不符合以上要求的,及時補(bǔ)上信息不全不予發(fā)表!
Ⅳ、文章標(biāo)題應(yīng)概括文章要旨,簡潔、明確,一般不超過20個字,必要時可加副標(biāo)題。
Ⅴ、來稿請用WORD格式,按附件形式電郵至本刊投稿專用郵箱,并注明作者姓名、性別、工作單位、職稱、通信地址、聯(lián)系電話、E-mail等。
雜志發(fā)文主題分析如下:
主題名稱 | 發(fā)文量 | 相關(guān)發(fā)文學(xué)者 |
半導(dǎo)體 | 126 | 彭英才;田敬民;薛舫時;陸春一;余金中 |
晶體管 | 45 | 周如培;李恩玲;成立;郭維廉;劉秀喜 |
半導(dǎo)體器件 | 38 | 彭英才;孫以材;田敬民;劉秀喜;陸春一 |
電路 | 36 | 賈香鸞;秦世才;孫以材;趙福川;楊鴻波 |
硅 | 32 | 李國正;劉秀喜;洛紅;余明斌;劉春榮 |
導(dǎo)體 | 31 | 彭英才;許德華;蘇輝;傅廣生;傅竹西 |
集成電路 | 29 | 秦世才;孫以材;楊鴻波;高振斌;魏希文 |
晶格 | 27 | 彭英才;薛舫時;張國英;傅廣生;李美成 |
砷化鎵 | 26 | 楊瑞霞;趙福川;夏冠群;于海霞;趙建龍 |
超晶格 | 26 | 彭英才;薛舫時;張國英;傅廣生;李美成 |
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